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CMP拋光（化學機械拋光）在半導體製造中的應用最為廣泛，主要用於平坦化晶圓表麵。

在半導體製造中，CMP技術可以用來去除晶圓表麵的氧化層、矽化物、金屬殘留物等雜質，以保證晶體等器件的性能和穩定性。
CMP技術是現代半導體製造中非常重要的一項技術。

在CMP過程中，需要使用一種特殊的液體研磨劑，即CMP拋光液。

常見的拋光液種類有鎢CMP拋光液、介質CMP拋光液、銅CMP拋光液、鋁CMP拋光液、矽片拋光液、碳化矽晶圓拋光液、硬盤磁頭CMP拋光液等。

CMP拋光液的成分是多種化學物質的混合物，其中主要包括磨料、緩衝液、拋光劑和添加劑等。

其中，磨料主要起到去除矽片表麵氧化物和金屬殘留物的作用，緩衝液主要起到調節pH值和維持液體穩定性的作用，拋光劑主要起到潤滑和減少表麵摩擦的作用，添加劑主要改善cmp拋光液的分散、化學反應性能。